Els semiconductors tenen tres característiques principals:
1. Característiques de la sensibilitat tèrmica
La resistivitat dels semiconductors canvia significativament amb la temperatura. Per exemple, el germani pur, per cada augment de 10 graus d'humitat, la seva resistivitat elèctrica disminueix a 1/2 del seu valor original. Els canvis subtils de temperatura es poden reflectir en els canvis significatius en la resistivitat dels semiconductors. Mitjançant l'ús de la sensibilitat tèrmica dels semiconductors, es poden fabricar elements sensors de temperatura (termistors) per utilitzar-los en sistemes de mesura i control de temperatura.
Val la pena assenyalar que diversos dispositius semiconductors tenen sensibilitat tèrmica, que afecta la seva estabilitat quan canvia la temperatura ambient.
2. Característiques fotosensibles
La resistivitat dels semiconductors és molt sensible als canvis de llum. Quan s'il·lumina, la resistivitat elèctrica és molt baixa; Quan no hi ha llum, la resistivitat elèctrica és alta. Per exemple, la fotoresistència de sulfur de cadmi que s'utilitza habitualment té una resistència de diverses desenes de megaohms en absència de llum, quan s'exposa a la llum. La resistència va baixar de sobte a desenes de milers d'ohms i el valor de la resistència va canviar milers de vegades. Utilitzant les propietats fotosensibles dels semiconductors, es produeixen diversos tipus de dispositius optoelectrònics, com ara fotodíodes, fototransistors i fotocèl·lules de silici. Àmpliament utilitzat en control automàtic i tecnologia de ràdio.
3. Característiques del dopatge
En els semiconductors purs, dopar quantitats extremadament petites d'elements d'impureses pot provocar un canvi significatiu en la seva resistivitat elèctrica. Per exemple. Dopatge en silici pur. La resistivitat de l'element de bor, que és inferior a 214.000 Ω· cm, disminuirà a 0,4 Ω· cm, el que significa que la conductivitat del silici augmentarà més de 500.000 vegades. La gent controla amb precisió la conductivitat dels semiconductors dopant certs elements específics d'impureses i fabriquen diferents tipus de dispositius semiconductors. Es pot dir sense exagerar que gairebé tots els dispositius semiconductors estan fets de materials semiconductors dopats amb impureses específiques.
