Què és un semiconductor

Tots els materials amb les dues característiques anteriors es poden classificar en l'abast dels materials semiconductors. El que reflecteix les propietats bàsiques intrínseques dels semiconductors són els efectes físics i els fenòmens causats per diversos factors externs com la llum, la calor, el magnetisme, l'electricitat, etc. La majoria dels materials bàsics dels dispositius electrònics d'estat sòlid són semiconductors. Són les diferents propietats semiconductors d'aquests materials semiconductors les que donen a diferents tipus de dispositius semiconductors diferents funcions i característiques. La característica química bàsica dels semiconductors és l'existència d'enllaços covalents saturats entre àtoms. Com a característica típica d'enllaç covalent, té una estructura tetraèdrica en gelosia, de manera que els materials semiconductors típics tenen una estructura de diamant o blenda de zinc (ZnS). Com que la majoria dels recursos minerals de la Terra són compostos, els materials semiconductors que es van utilitzar per primera vegada són compostos. Per exemple, la galena (PBS) es va utilitzar per a la detecció de ràdio fa molt de temps, l'òxid cupros (Cu2O) es va utilitzar com a rectificador sòlid, l'esfalerita (ZnS) és un material luminescent sòlid conegut i la funció de rectificació i detecció del carbur de silici ( SIC) també es va utilitzar primerencament. El seleni (SE) és el primer element semiconductor descobert i utilitzat, que abans va ser un material important per a rectificadors d'estat sòlid i fotocèl·lules. El descobriment de l'amplificació d'elements semiconductors de germani (GE) va obrir una nova pàgina en la història dels semiconductors, a partir de la qual els dispositius electrònics van començar a realitzar la transistorització. La investigació i producció de semiconductors a la Xina va començar amb la primera preparació de germani d'alta puresa (99,999999% - 99,999999%) l'any 1957. L'adopció del silici semiconductor elemental (SI) no només augmenta els tipus i varietats de transistors i millora el seu rendiment. , però també marca el començament de l'era dels circuits integrats a gran i molt gran escala. El descobriment de compostos ⅲ - ⅴ representats per l'arsenur de gal·li (GaAs) ha promogut el ràpid desenvolupament de dispositius de microones i dispositius optoelectrònics.