Dissenyar un PCB (placa de circuit imprès) per a aplicacions d'alta freqüència requereix una consideració acurada de diversos factors per garantir la integritat del senyal, minimitzar les pèrdues i mitigar les interferències electromagnètiques. Aquests són alguns passos i consideracions clau:
A la dècada de 1980, la Xina va començar a entrar en la indústria dels semiconductors. En els primers dies, la tecnologia de semiconductors es basava principalment en les importacions, mentre que la Xina es dedicava principalment a treballs de muntatge i proves senzills. En aquell moment, empreses importants com Shanghai Hongli i East China Semiconductor tenien una bretxa important entre el seu nivell de tecnologia de producte i el nivell avançat internacional, però va establir les bases per a la indústria xinesa de semiconductors.
El concepte de circuits integrats es remunta a finals dels anys 50 i principis dels 60. Jack Kilby, enginyer de Texas Instruments, i Robert Noyce, cofundador de Fairchild Semiconductor i més tard d'Intel, van concebre de manera independent la idea d'integrar diversos components electrònics en un sol substrat semiconductor.
La indústria dels semiconductors és una indústria d'alta tecnologia que implica la investigació i el desenvolupament, la fabricació i l'aplicació de materials semiconductors. Els semiconductors són un tipus especial de material amb propietats conductores que es troben entre conductors i aïllants. Els materials semiconductors aconsegueixen la funcionalitat dels dispositius electrònics controlant el flux de corrent.
Els materials semiconductors es refereixen a materials amb propietats elèctriques especials en electrònica i mecànica quàntica, com ara silici, germani, nitrur de silici, selenur de gal·li, etc. Les propietats especials d'aquests materials els permeten utilitzar com a materials en dispositius electrònics, com transistors, díodes, etc. , cèl·lules solars, etc.
La resistivitat dels semiconductors canvia significativament amb la temperatura. Per exemple, el germani pur, per cada augment de 10 graus d'humitat, la seva resistivitat elèctrica disminueix a 1/2 del seu valor original.
